casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / STE110NS20FD
Número de pieza del fabricante | STE110NS20FD |
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Número de parte futuro | FT-STE110NS20FD |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MESH OVERLAY™ |
STE110NS20FD Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 200V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 110A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 504nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 7900pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 500W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | ISOTOP® |
Paquete / Caja | ISOTOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STE110NS20FD Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | STE110NS20FD-FT |
TSM038N03PQ33 RGG
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XC2V4000-5FFG1152I
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AGL600V5-FGG144
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EP3SL150F780C4LN
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EP1S60F1020C5N
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