casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos / STD845DN40
Número de pieza del fabricante | STD845DN40 |
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Número de parte futuro | FT-STD845DN40 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
STD845DN40 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de transistor | 2 NPN (Dual) |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 4A |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 400V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 1A, 4A |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 250µA |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 12 @ 2A, 5V |
Potencia - max | 3W |
Frecuencia - Transición | - |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-DIP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STD845DN40 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | STD845DN40-FT |
IMT4T108
Rohm Semiconductor
PBSS4160DPN,115
Nexperia USA Inc.
PBSS4160DSH
Nexperia USA Inc.
PBSS5160DS,115
Nexperia USA Inc.
SMBTA06UPNE6327HTSA1
Infineon Technologies
BCM847DS,115
Nexperia USA Inc.
HN1A01F-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1C01FYTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1C03F-B(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
IMX2T108
Rohm Semiconductor
XC2S200E-6PQ208I
Xilinx Inc.
XC7A12T-2CSG325C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484I
Microsemi Corporation
M7AFS600-2FG256
Microsemi Corporation
XC7S25-1CSGA324Q
Xilinx Inc.
LFE2-12SE-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M08DCU324C8G
Intel
EP3C55F780I7
Intel
EP1C6Q240I7N
Intel