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STMicroelectronics STD1HN60K3

Name: STD1HN60K3
Brand: STMicroelectronics
SKU: STD1HN60K3
Price: 0.411048 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (629 reviews)

Número de pieza de MFG: STD1HN60K3

Cantidad disponible: 50220 Piezas

Precio de referencia: USD 0.411048

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: STMicroelectronics

Breve descripción: SuperMESH3™ MOSFET N-CH 600V 1.2A DPAK

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: STD1HN60K3.pdf

STD1HN60K3 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	STD1HN60K3
Número de parte futuro	FT-STD1HN60K3
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	SuperMESH3™
STD1HN60K3 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	1.2A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8 Ohm @ 600mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 50µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	9.5nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	140pF @ 50V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	27W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	DPAK
Paquete / Caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STD1HN60K3 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	STD1HN60K3-FT

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