casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / STB18NF25
Número de pieza del fabricante | STB18NF25 |
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Número de parte futuro | FT-STB18NF25 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, STripFET™ II |
STB18NF25 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 250V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 17A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 165 mOhm @ 8.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 29.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1000pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 110W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D2PAK |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STB18NF25 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | STB18NF25-FT |
TSM1N45CW RPG
Taiwan Semiconductor Corporation
STD12NF06L-1
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XC4052XL-3HQ304C
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M1A3P600-1FGG484
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LFEC10E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100QC208-3N
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EP4SGX180FF35C2XN
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EP1SGX25DF1020C6
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