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STMicroelectronics STB11NM60N-1

Name: STB11NM60N-1
Brand: STMicroelectronics
SKU: STB11NM60N-1
Availability: InStock
Rating: 4.6 (535 reviews)

Número de pieza de MFG: STB11NM60N-1

Cantidad disponible: 25140 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: STMicroelectronics

Breve descripción: MDmesh™ II MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: STB11NM60N-1.pdf

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STB11NM60N-1 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	STB11NM60N-1
Número de parte futuro	FT-STB11NM60N-1
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	MDmesh™ II
STB11NM60N-1 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	10A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	450 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	31nC @ 10V
Vgs (Max)	±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	850pF @ 50V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	90W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	I2PAK
Paquete / Caja	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STB11NM60N-1 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	STB11NM60N-1-FT

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