casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos, Pre-polar / SSVMUN5312DW1T2G
Número de pieza del fabricante | SSVMUN5312DW1T2G |
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Número de parte futuro | FT-SSVMUN5312DW1T2G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SSVMUN5312DW1T2G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | 22 kOhms |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 500nA |
Frecuencia - Transición | - |
Potencia - max | 187mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SSVMUN5312DW1T2G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SSVMUN5312DW1T2G-FT |
NSTB1003DXV5T1G
ON Semiconductor
NSTB1004DXV5T1G
ON Semiconductor
MUN5230DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5336DW1T1G
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MUN5335DW1T2G
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MUN5315DW1T1G
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SMUN5230DW1T1G
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NSVTB60BDW1T1G
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MUN5335DW1T1G
ON Semiconductor
A3P125-1TQ144
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EP20K100ETC144-2N
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XC6SLX100-2FG484C
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LCMXO3L-2100C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
5SEE9H40I2LN
Intel
EP2SGX60EF1152C5N
Intel
XC6VLX195T-L1FF784I
Xilinx Inc.
XC6VLX75T-L1FFG784C
Xilinx Inc.
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
5AGXBB7D4F35C5N
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