casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / SST26VF016BT-104V/SM
Número de pieza del fabricante | SST26VF016BT-104V/SM |
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Número de parte futuro | FT-SST26VF016BT-104V/SM |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SST26 SQI® |
SST26VF016BT-104V/SM Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH |
Tamaño de la memoria | 16Mb (2M x 8) |
Frecuencia de reloj | 104MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 1.5ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI - Quad I/O |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOIJ |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SST26VF016BT-104V/SM Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SST26VF016BT-104V/SM-FT |
GD25VQ20CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25VQ40CSIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25VQ40CSIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25VQ40CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25VQ40CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25VQ80CSIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25VQ80CSIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25VQ80CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
IS62WVS0648FBLL-20NLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS62WVS0648FBLL-20NLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc