casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / SST25VF040B-50-4I-S2AE-T
Número de pieza del fabricante | SST25VF040B-50-4I-S2AE-T |
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Número de parte futuro | FT-SST25VF040B-50-4I-S2AE-T |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SST25 |
SST25VF040B-50-4I-S2AE-T Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH |
Tamaño de la memoria | 4Mb (512K x 8) |
Frecuencia de reloj | 50MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 10µs |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOIC |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SST25VF040B-50-4I-S2AE-T Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SST25VF040B-50-4I-S2AE-T-FT |
GD25LQ64CSIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ80CSIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ80CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ80CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q127CSIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q127CSIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q16CSIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q16CSIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q16CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q16CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
XC2V250-6FG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-2FGG676I
Xilinx Inc.
A42MX16-2PQ208
Microsemi Corporation
A42MX24-FPQG208
Microsemi Corporation
EP1K10TI100-2
Intel
XC7K355T-1FFG901I
Xilinx Inc.
XC7K325T-3FFG900E
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000UHE-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F40I2SGE2
Intel