casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / SST25VF040B-50-4C-S2AF-T
Número de pieza del fabricante | SST25VF040B-50-4C-S2AF-T |
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Número de parte futuro | FT-SST25VF040B-50-4C-S2AF-T |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SST25 |
SST25VF040B-50-4C-S2AF-T Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH |
Tamaño de la memoria | 4Mb (512K x 8) |
Frecuencia de reloj | 50MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 10µs |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOIC |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SST25VF040B-50-4C-S2AF-T Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SST25VF040B-50-4C-S2AF-T-FT |
GD25Q16CSJGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q16CTEGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q16CTJG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q16CTJGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q32CSIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q32CSIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q32CTJG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q32CTJGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q64CSJG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q64CSJGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
XC7S50-2FGGA484I
Xilinx Inc.
A3P600L-FG256I
Microsemi Corporation
EPF8452ATC100-4
Intel
10M16SCE144C8G
Intel
LFE3-150EA-8FN1156ITW
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA5U19C7N
Intel
5AGXFA5H4F35I3
Intel
EP2AGX260FF35I3N
Intel
EP4SGX70HF35C3
Intel