casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SSM6P16FE(TE85L,F)
Número de pieza del fabricante | SSM6P16FE(TE85L,F) |
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Número de parte futuro | FT-SSM6P16FE(TE85L,F) |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | π-MOSVI |
SSM6P16FE(TE85L,F) Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 100mA (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 1.5V, 4V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 Ohm @ 10mA, 4V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 11pF @ 3V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 150mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | ES6 |
Paquete / Caja | SOT-563, SOT-666 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SSM6P16FE(TE85L,F) Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SSM6P16FE(TE85L,F)-FT |
SIHG28N60EF-GE3
Vishay Siliconix
SIHG28N65EF-GE3
Vishay Siliconix
SIHG30N60E-E3
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SIHG33N60E-GE3
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