casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SSM6K217FE,LF
Número de pieza del fabricante | SSM6K217FE,LF |
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Número de parte futuro | FT-SSM6K217FE,LF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | U-MOSVII-H |
SSM6K217FE,LF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 1.8A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 1.8V, 8V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 195 mOhm @ 1A, 8V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 1.1nC @ 4.2V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 130pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 500mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | ES6 |
Paquete / Caja | SOT-563, SOT-666 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SSM6K217FE,LF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SSM6K217FE,LF-FT |
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