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Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J213FE(TE85L,F

Name: SSM6J213FE(TE85L,F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6J213FE(TE85L,F
Price: 0.0792 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (12 reviews)

Número de pieza de MFG: SSM6J213FE(TE85L,F

Cantidad disponible: 90100 Piezas

Precio de referencia: USD 0.0792

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fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descripción: U-MOSVI MOSFET P CH 20V 2.6A ES6

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: SSM6J213FE(TE85L,F.pdf

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Número de pieza del fabricante	SSM6J213FE(TE85L,F
Número de parte futuro	FT-SSM6J213FE(TE85L,F
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	U-MOSVI
SSM6J213FE(TE85L,F Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	2.6A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	103 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	4.7nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	290pF @ 10V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	ES6
Paquete / Caja	SOT-563, SOT-666
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SSM6J213FE(TE85L,F Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	SSM6J213FE(TE85L,F-FT

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