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Toshiba Semiconductor and Storage SSM5G10TU(TE85L,F)

Número de pieza de MFG
SSM5G10TU(TE85L,F)
Cantidad disponible
85260 Piezas
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fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción
U-MOSIII MOSFET P-CH 20V 1.5A UFV
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie U-MOSIII
SSM5G10TU(TE85L,F) Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET P-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 1.5A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 1.8V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 213 mOhm @ 1A, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 6.4nC @ 4V
Vgs (Max) ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 250pF @ 10V
Característica FET Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (max) 500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor UFV
Paquete / Caja 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SSM5G10TU(TE85L,F) Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto SSM5G10TU(TE85L,F)-FT

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