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Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K35AMFV,L3F

Name: SSM3K35AMFV,L3F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3K35AMFV,L3F
Price: 0.0272 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (577 reviews)

Número de pieza de MFG: SSM3K35AMFV,L3F

Cantidad disponible: 64390 Piezas

Precio de referencia: USD 0.0272

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fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descripción: U-MOSIII SMALL LOW ON RESISTANCE MOSFET

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: SSM3K35AMFV,L3F.pdf

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SSM3K35AMFV,L3F Presupuesto

Número de pieza del fabricante	SSM3K35AMFV,L3F
Número de parte futuro	FT-SSM3K35AMFV,L3F
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	U-MOSIII
SSM3K35AMFV,L3F Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	250mA (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.1 Ohm @ 150mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 100µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	0.34nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	36pF @ 10V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	VESM
Paquete / Caja	SOT-723
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SSM3K35AMFV,L3F Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	SSM3K35AMFV,L3F-FT

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