casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / SS8PH10HM3_A/H
Número de pieza del fabricante | SS8PH10HM3_A/H |
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Número de parte futuro | FT-SS8PH10HM3_A/H |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, eSMP® |
SS8PH10HM3_A/H Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 8A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 900mV @ 8A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 2µA @ 100V |
Capacitancia a Vr, F | 140pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-277, 3-PowerDFN |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-277A (SMPC) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS8PH10HM3_A/H Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SS8PH10HM3_A/H-FT |
1N4448WS-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS16WS-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS16WS-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS16WS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS170WS-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS170WS-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS170WS-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT42WS-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT42WS-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT42WS-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F484C6N
Intel
EP20K30EFC144-3
Intel
5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC4010XL-3BG256I
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C4
Intel