casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / SS3H10-M3/57T
Número de pieza del fabricante | SS3H10-M3/57T |
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Número de parte futuro | FT-SS3H10-M3/57T |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SS3H10-M3/57T Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 3A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 800mV @ 3A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 20µA @ 100V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AB, SMC |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-214AB (SMC) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS3H10-M3/57T Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SS3H10-M3/57T-FT |
RS3DHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS3DHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS3G-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS3G-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS3G-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS3GHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS3GHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS3J-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS3J-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS3JHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX08A-1TQG144I
Microsemi Corporation
LFE2-12E-6T144I
Lattice Semiconductor Corporation
EX128-TQ100A
Microsemi Corporation
XCKU5P-2FFVB676E
Xilinx Inc.
XC7S100-1FGGA676C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP1K100FC256-1
Intel
XC7K70T-1FBG484I
Xilinx Inc.
LFX200B-04F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-4MG132CR1
Lattice Semiconductor Corporation