casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / SS32HE3_A/H
Número de pieza del fabricante | SS32HE3_A/H |
---|---|
Número de parte futuro | FT-SS32HE3_A/H |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SS32HE3_A/H Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 20V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 3A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 500mV @ 3A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 500µA @ 20V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AB, SMC |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-214AB (SMC) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 125°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS32HE3_A/H Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SS32HE3_A/H-FT |
ESH3BHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH3BHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH3BHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH3C-E3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH3C-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH3C-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH3C-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH3CHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH3CHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH3CHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX100-2CSG484C
Xilinx Inc.
XC7A15T-2FTG256I
Xilinx Inc.
EP3C5F256C8
Intel
10M04SCU169C8G
Intel
EP4CGX22BF14C6N
Intel
XC5VLX85T-3FF1136C
Xilinx Inc.
A40MX02-PQ100A
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-30E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E4F27E3SG
Intel