casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / SS23SHE3_A/I
Número de pieza del fabricante | SS23SHE3_A/I |
---|---|
Número de parte futuro | FT-SS23SHE3_A/I |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SS23SHE3_A/I Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 30V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 2A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 550mV @ 2A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 200µA @ 30V |
Capacitancia a Vr, F | 130pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AC, SMA |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-214AC (SMA) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS23SHE3_A/I Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SS23SHE3_A/I-FT |
ESH1DHE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRA140TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1AHE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1AHE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1B/11
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1BHE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1BHE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1D/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1DHE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1DHE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7S100-1FGGA484C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FG256
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003-2AI
Microchip Technology
EP1S20F484I6N
Intel
XC2VP40-6FFG1152C
Xilinx Inc.
AT6003-2JC
Microchip Technology
10AX115S2F45I2LG
Intel
EPF10K100ABC356-3
Intel
EP1C12F324C6
Intel