Número de pieza del fabricante | SS12 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-SS12 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SS12 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 20V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 500mV @ 1A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 200µA @ 20V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AC, SMA |
Paquete del dispositivo del proveedor | SMA (DO-214AC) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 125°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS12 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SS12-FT |
1N1184
GeneSiC Semiconductor
GB05MPS17-247
GeneSiC Semiconductor
GB10MPS17-247
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GC20MPS12-247
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GC50MPS06-247
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GC50MPS12-247
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GB50MPS17-247
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GC02MPS12-220
GeneSiC Semiconductor
A40MX02-3VQG80
Microsemi Corporation
AT6005ALV-4AC
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XC3S1000-5FGG320C
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XCV200-4FG456I
Xilinx Inc.
AT40K10LV-3CQI
Microchip Technology
EP20K200CF672C8
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EP3C16E144I7N
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5SGXEA7N3F45I3L
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5SGXEA7K2F35C2N
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EP1C20F324I7N
Intel