casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / SRAS20150HMNG
Número de pieza del fabricante | SRAS20150HMNG |
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Número de parte futuro | FT-SRAS20150HMNG |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SRAS20150HMNG Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 150V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 20A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.02V @ 20A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100µA @ 150V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-263AB (D²PAK) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SRAS20150HMNG Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SRAS20150HMNG-FT |
TSPB20U80S S1G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSPB5H100S S1G
Taiwan Semiconductor Corporation
TPAR3G S1G
Taiwan Semiconductor Corporation
TPAU3D S1G
Taiwan Semiconductor Corporation
TPAR3D S1G
Taiwan Semiconductor Corporation
TPAR3J S1G
Taiwan Semiconductor Corporation
TPAU3G S1G
Taiwan Semiconductor Corporation
TPMR10G S1G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSP15H120S S1G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSPB10U45S S1G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F484C6N
Intel
EP20K30EFC144-3
Intel
5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC4010XL-3BG256I
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C4
Intel