casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / SRA1060HC0G
Número de pieza del fabricante | SRA1060HC0G |
---|---|
Número de parte futuro | FT-SRA1060HC0G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SRA1060HC0G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 60V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 10A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 700mV @ 10A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 500µA @ 60V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-220-2 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AC |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SRA1060HC0G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SRA1060HC0G-FT |
CCS15S40,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CCS15F40,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CCS15S30,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CCS15S30,L3IDTF
Toshiba Semiconductor and Storage
CCS15S30,L3QUF
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS413,L3M
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS416,L3M
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS417,L3M
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS417CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS416CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL090-FCSG325I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-6BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N2F40I3LN
Intel
5SGXEA5H2F35I3
Intel
XC7A15T-3CPG236E
Xilinx Inc.
5AGXFB1H6F35C6N
Intel
EP1S80B956C6N
Intel
EP4SGX180HF35C4
Intel