casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / SRA1050 C0G
Número de pieza del fabricante | SRA1050 C0G |
---|---|
Número de parte futuro | FT-SRA1050 C0G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SRA1050 C0G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 50V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 10A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 700mV @ 10A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 500µA @ 50V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-220-2 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AC |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SRA1050 C0G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SRA1050 C0G-FT |
CUHS20S30,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CUHS20S40,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CCS15S40,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CCS15F40,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CCS15S30,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CCS15S30,L3IDTF
Toshiba Semiconductor and Storage
CCS15S30,L3QUF
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS413,L3M
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS416,L3M
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS417,L3M
Toshiba Semiconductor and Storage
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F484C6N
Intel
EP20K30EFC144-3
Intel
5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC4010XL-3BG256I
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C4
Intel