casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / SRA1030HC0G
Número de pieza del fabricante | SRA1030HC0G |
---|---|
Número de parte futuro | FT-SRA1030HC0G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SRA1030HC0G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 30V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 10A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 550mV @ 10A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 500µA @ 30V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-220-2 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AC |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 125°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SRA1030HC0G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SRA1030HC0G-FT |
CUHS20F30,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CUHS20F40,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CUHS20S30,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CUHS20S40,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CCS15S40,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CCS15F40,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CCS15S30,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CCS15S30,L3IDTF
Toshiba Semiconductor and Storage
CCS15S30,L3QUF
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS413,L3M
Toshiba Semiconductor and Storage
A54SX16P-2TQG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
EP2AGX65DF25C5
Intel
5SGXMABN3F45I3N
Intel
5SGXMA5H2F35I3N
Intel
XCV50-5BG256I
Xilinx Inc.
A42MX09-TQG176I
Microsemi Corporation
LFEC20E-3FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7
Intel