casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / SR510 B0G
Número de pieza del fabricante | SR510 B0G |
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Número de parte futuro | FT-SR510 B0G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SR510 B0G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 5A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 850mV @ 5A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100µA @ 100V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | DO-201AD, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-201AD |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SR510 B0G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SR510 B0G-FT |
SF42GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF43G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF43G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF43GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF43GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF44G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF44G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF44GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF44GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF45G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A54SX16A-1TQ144I
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XC7A75T-3FGG484E
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M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
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5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
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EP4SGX110HF35I3
Intel