casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / SR309 B0G
Número de pieza del fabricante | SR309 B0G |
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Número de parte futuro | FT-SR309 B0G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SR309 B0G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 90V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 3A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 850mV @ 3A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100µA @ 90V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | DO-201AD, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-201AD |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SR309 B0G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SR309 B0G-FT |
1N5407GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5408G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5408GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
31DF4 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
31DF6 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR301G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR302G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR303G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR304G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR305G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel