casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / SR302HB0G
Número de pieza del fabricante | SR302HB0G |
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Número de parte futuro | FT-SR302HB0G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SR302HB0G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 20V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 3A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 550mV @ 3A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 500µA @ 20V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | DO-201AD, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-201AD |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 125°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SR302HB0G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SR302HB0G-FT |
MUR420HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR440 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR440HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR460 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR460HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR4L20 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR4L20HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR4L40 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR4L40HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR4L60 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel