casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / SQJQ910EL-T1_GE3
Número de pieza del fabricante | SQJQ910EL-T1_GE3 |
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Número de parte futuro | FT-SQJQ910EL-T1_GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
SQJQ910EL-T1_GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Característica FET | Standard |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 70A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.6 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 58nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2832pF @ 50V |
Potencia - max | 187W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | PowerPAK® 8 x 8 Dual |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerPAK® 8 x 8 Dual |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQJQ910EL-T1_GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SQJQ910EL-T1_GE3-FT |
AO6804
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
AO6804A_101
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AON6810
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AON6816
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XC7S75-2FGGA484C
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LFE2M35SE-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N1F40I2SGES
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EP20K1000CF33C8N
Intel