casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SQJQ480E-T1_GE3
Número de pieza del fabricante | SQJQ480E-T1_GE3 |
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Número de parte futuro | FT-SQJQ480E-T1_GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
SQJQ480E-T1_GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 80V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 150A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 144nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 8625pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 136W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerPAK® 8 x 8 |
Paquete / Caja | 8-PowerTDFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQJQ480E-T1_GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SQJQ480E-T1_GE3-FT |
IRFZ30PBF
Vishay Siliconix
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XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
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M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
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EP1M350F780C6
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LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
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10AX066H1F34I1SG
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EP1C6Q240C7N
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