casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SQJQ410EL-T1_GE3
Número de pieza del fabricante | SQJQ410EL-T1_GE3 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-SQJQ410EL-T1_GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
SQJQ410EL-T1_GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 200A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 220nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 14500pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 150W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerPAK® 8 x 8 |
Paquete / Caja | 8-PowerTDFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQJQ410EL-T1_GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SQJQ410EL-T1_GE3-FT |
IRL510
Vishay Siliconix
IRL520
Vishay Siliconix
IRL530
Vishay Siliconix
IRL540
Vishay Siliconix
IRL620
Vishay Siliconix
IRL630
Vishay Siliconix
IRL640
Vishay Siliconix
IRLZ14
Vishay Siliconix
IRLZ24
Vishay Siliconix
IRLZ34
Vishay Siliconix
XC2V250-5FG256I
Xilinx Inc.
M2GL050-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG484T
Microsemi Corporation
APA1000-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5K3F35C2L
Intel
XC5VLX50-2FFG1153C
Xilinx Inc.
XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1SFVA784I
Xilinx Inc.
5SGXMA3H1F35C2LN
Intel