casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SQJA70EP-T1_GE3
Número de pieza del fabricante | SQJA70EP-T1_GE3 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-SQJA70EP-T1_GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
SQJA70EP-T1_GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 14.7A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 95 mOhm @ 4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 220pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 27W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerPAK® SO-8 |
Paquete / Caja | PowerPAK® SO-8 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQJA70EP-T1_GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SQJA70EP-T1_GE3-FT |
IRFBF20
Vishay Siliconix
IRFBG20
Vishay Siliconix
IRFBG30
Vishay Siliconix
IRFZ10
Vishay Siliconix
IRFZ14
Vishay Siliconix
IRFZ20
Vishay Siliconix
IRFZ24
Vishay Siliconix
IRFZ30
Vishay Siliconix
IRFZ30PBF
Vishay Siliconix
IRFZ34
Vishay Siliconix
XC6SLX45-3FG676C
Xilinx Inc.
XC4005L-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2VP2-7FG456C
Xilinx Inc.
A42MX16-2PQ208I
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-9400C-5BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED6K3F40C2N
Intel
LFEC1E-4Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F780C6N
Intel