casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / SQJ200EP-T1_GE3
Número de pieza del fabricante | SQJ200EP-T1_GE3 |
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Número de parte futuro | FT-SQJ200EP-T1_GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
SQJ200EP-T1_GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Característica FET | Standard |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 20A, 60A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.8 mOhm @ 16A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 975pF @ 10V |
Potencia - max | 27W, 48W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | PowerPAK® SO-8 Dual |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQJ200EP-T1_GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SQJ200EP-T1_GE3-FT |
ALD1101SAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD1117SAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD110914SAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD110900ASAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD110902SAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD110904SAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD1101BSAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD1102ASAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD1102BSAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD1102SAL
Advanced Linear Devices Inc.
XC2S200-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2S300E-6PQG208C
Xilinx Inc.
A3P250-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSMD4E3H29C3N
Intel
5AGXMA1D6F27C6N
Intel
XC2VP50-6FF1148I
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-3BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29C6N
Intel
EPF8636AQC160-4N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel