casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SQD25N06-22L_GE3
Número de pieza del fabricante | SQD25N06-22L_GE3 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-SQD25N06-22L_GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SQD25N06-22L_GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 25A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1975pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 62W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-252, (D-Pak) |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQD25N06-22L_GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SQD25N06-22L_GE3-FT |
SQJA72EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJA84EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJA88EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJA90EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJA92EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJA94EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJA96EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SI8483DB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8497DB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8406DB-T2-E1
Vishay Siliconix
LCMXO2-7000HE-6TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K50TC144-3N
Intel
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
EP4SGX360KF43C2
Intel
XC7K70T-1FB484C
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-7LFN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-1300E-5MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19A7N
Intel
EP1S40F780C5
Intel
EPF6024AQC240-3
Intel