casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / SQ3585EV-T1_GE3
Número de pieza del fabricante | SQ3585EV-T1_GE3 |
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Número de parte futuro | FT-SQ3585EV-T1_GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
SQ3585EV-T1_GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N and P-Channel |
Característica FET | Standard |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 3.57A (Tc), 2.5A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 77 mOhm @ 1A, 4.5V, 166 mOhm @ 1A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5nC @ 4.5V, 3.5nC @ 4.5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
Potencia - max | 1.67W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Paquete del dispositivo del proveedor | 6-TSOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQ3585EV-T1_GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SQ3585EV-T1_GE3-FT |
SI1029X-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1026X-T1-GE3
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Vishay Siliconix
XC7A50T-L2CSG325E
Xilinx Inc.
LFE2-12E-7Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
APA750-PQG208
Microsemi Corporation
EP4SGX230KF40C2
Intel
10AX022E4F27I3SG
Intel
5SGXEABK3H40C4N
Intel
A3P600-2FGG144
Microsemi Corporation
10AX090H1F34E1SG
Intel
EPF10K130EBC356-1X
Intel
EP4SGX290FF35I4
Intel