casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SQ2348ES-T1_GE3
Número de pieza del fabricante | SQ2348ES-T1_GE3 |
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Número de parte futuro | FT-SQ2348ES-T1_GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SQ2348ES-T1_GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 8A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24 mOhm @ 12A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 14.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 540pF @ 15V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 3W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-236 |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQ2348ES-T1_GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SQ2348ES-T1_GE3-FT |
FDV305N
ON Semiconductor
RTR040N03TL
Rohm Semiconductor
BSS84PH6327XTSA2
Infineon Technologies
SQ2362ES-T1_GE3
Vishay Siliconix
T2N7002BK,LM
Toshiba Semiconductor and Storage
FDN5618P
ON Semiconductor
SI2301CDS-T1-E3
Vishay Siliconix
SQ2308CES-T1_GE3
Vishay Siliconix
SI2316DS-T1-E3
Vishay Siliconix
SI2343CDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
ICE40UP5K-SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S250E-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2V1000-5FGG456I
Xilinx Inc.
10CL010ZU256I8G
Intel
5SGXMA7K2F40I3
Intel
A54SX32A-1TQ100I
Microsemi Corporation
APA075-FGG144
Microsemi Corporation
10AX066N2F40I2SGES
Intel
EPF10K50VBC356-2N
Intel
EPF10K50VBI356-4
Intel