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Infineon Technologies SPU02N60C3BKMA1

Número de pieza de MFG
SPU02N60C3BKMA1
Cantidad disponible
26310 Piezas
Precio de referencia
USD 1.024
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Fecha de envío
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fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
CoolMOS™ MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-SPU02N60C3BKMA1
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie CoolMOS™
SPU02N60C3BKMA1 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Not For New Designs
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 1.8A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 80µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 12.5nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 200pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO251-3
Paquete / Caja TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SPU02N60C3BKMA1 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto SPU02N60C3BKMA1-FT

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