casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SPP15P10PGHKSA1
Número de pieza del fabricante | SPP15P10PGHKSA1 |
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Número de parte futuro | FT-SPP15P10PGHKSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SIPMOS® |
SPP15P10PGHKSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 15A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 240 mOhm @ 10.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1.54mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 48nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1280pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 128W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO220-3 |
Paquete / Caja | TO-220-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPP15P10PGHKSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SPP15P10PGHKSA1-FT |
IPP80N04S2L03AKSA1
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IPP80N04S3-04
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LFEC33E-3FN484C
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