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Infineon Technologies SPP12N50C3HKSA1

Name: SPP12N50C3HKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPP12N50C3HKSA1
Availability: InStock
Rating: 4.6 (443 reviews)

Número de pieza de MFG: SPP12N50C3HKSA1

Cantidad disponible: 49260 Piezas

Precio de referencia: USD 0

Nuestro precio: Tenemos un gran descuento, contáctenos

Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: CoolMOS™ MOSFET N-CH 560V 11.6A TO-220

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: SPP12N50C3HKSA1.pdf

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SPP12N50C3HKSA1 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	SPP12N50C3HKSA1
Número de parte futuro	FT-SPP12N50C3HKSA1
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	CoolMOS™
SPP12N50C3HKSA1 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	560V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	11.6A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	380 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.9V @ 500µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	49nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1200pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO220-3-1
Paquete / Caja	TO-220-3
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SPP12N50C3HKSA1 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	SPP12N50C3HKSA1-FT

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