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Infineon Technologies SPI20N60C3HKSA1

Name: SPI20N60C3HKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPI20N60C3HKSA1
Availability: InStock
Rating: 4.8 (687 reviews)

Número de pieza de MFG: SPI20N60C3HKSA1

Cantidad disponible: 64300 Piezas

Precio de referencia: USD 0

Nuestro precio: Tenemos un gran descuento, contáctenos

Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: CoolMOS™ MOSFET N-CH 600V 20.7A TO-262

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: SPI20N60C3HKSA1.pdf

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SPI20N60C3HKSA1 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	SPI20N60C3HKSA1
Número de parte futuro	FT-SPI20N60C3HKSA1
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	CoolMOS™
SPI20N60C3HKSA1 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	20.7A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190 mOhm @ 13.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.9V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	114nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	2400pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	208W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO262-3-1
Paquete / Caja	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SPI20N60C3HKSA1 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	SPI20N60C3HKSA1-FT

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