casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SPD50N03S2L-06
Número de pieza del fabricante | SPD50N03S2L-06 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-SPD50N03S2L-06 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
SPD50N03S2L-06 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 50A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.4 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 85µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 68nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2530pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 136W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO252-3 |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPD50N03S2L-06 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SPD50N03S2L-06-FT |
IPD65R950CFDBTMA1
Infineon Technologies
IPD70N04S3-07
Infineon Technologies
IPD70N10S312ATMA1
Infineon Technologies
IPD70N10S3L12ATMA1
Infineon Technologies
IPD70R1K4CEAUMA1
Infineon Technologies
IPD70R1K4P7SAUMA1
Infineon Technologies
IPD70R2K0CEAUMA1
Infineon Technologies
IPD70R360P7SAUMA1
Infineon Technologies
IPD70R600CEAUMA1
Infineon Technologies
IPD70R600P7SAUMA1
Infineon Technologies
A3PN015-1QNG68I
Microsemi Corporation
A1415A-PQ100I
Microsemi Corporation
M2GL025S-1VF400I
Microsemi Corporation
A10V20B-PL68C
Microsemi Corporation
EP4S100G3F45I3N
Intel
XC4028XL-09HQ208C
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FFG672C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE80F780C4
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel