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Infineon Technologies SPD35N10

Número de pieza de MFG
SPD35N10
Cantidad disponible
87150 Piezas
Precio de referencia
USD 0
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Fecha de envío
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fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
SIPMOS® MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
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Número de pieza del fabricante SPD35N10
Número de parte futuro FT-SPD35N10
SPQ / MOQ Contáctenos
Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie SIPMOS®
SPD35N10 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 35A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 44 mOhm @ 26.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 65nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1570pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 150W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO252-3
Paquete / Caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SPD35N10 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto SPD35N10-FT

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