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Infineon Technologies SPD18P06PGBTMA1

Name: SPD18P06PGBTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPD18P06PGBTMA1
Price: 0.416296 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (231 reviews)

Número de pieza de MFG: SPD18P06PGBTMA1

Cantidad disponible: 17310 Piezas

Precio de referencia: USD 0.416296

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fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: SIPMOS® MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: SPD18P06PGBTMA1.pdf

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SPD18P06PGBTMA1 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	SPD18P06PGBTMA1
Número de parte futuro	FT-SPD18P06PGBTMA1
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	SIPMOS®
SPD18P06PGBTMA1 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	18.6A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	130 mOhm @ 13.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	33nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	860pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	80W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO252-3
Paquete / Caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SPD18P06PGBTMA1 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	SPD18P06PGBTMA1-FT

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