casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / SP8M6TB
Número de pieza del fabricante | SP8M6TB |
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Número de parte futuro | FT-SP8M6TB |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SP8M6TB Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N and P-Channel |
Característica FET | Logic Level Gate |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 5A, 3.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 51 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 3.9nC @ 5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 230pF @ 10V |
Potencia - max | 2W |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SP8M6TB Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SP8M6TB-FT |
SI4816BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4816DY-T1-E3
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SI4816DY-T1-GE3
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SI4818DY-T1-E3
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SI4830ADY-T1-E3
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SI4830CDY-T1-E3
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SI4834BDY-T1-E3
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