casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solo / SMMJT350T1G
Número de pieza del fabricante | SMMJT350T1G |
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Número de parte futuro | FT-SMMJT350T1G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SMMJT350T1G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | PNP |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 300V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | - |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 50mA, 10V |
Potencia - max | 650mW |
Frecuencia - Transición | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-261-4, TO-261AA |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-223 (TO-261) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SMMJT350T1G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SMMJT350T1G-FT |
NSVMMBT5551M3T5G
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Xilinx Inc.
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10AX057H2F34E1SG
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