casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / SMMBTH10-4LT3G
Número de pieza del fabricante | SMMBTH10-4LT3G |
---|---|
Número de parte futuro | FT-SMMBTH10-4LT3G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SMMBTH10-4LT3G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 25V |
Frecuencia - Transición | 800MHz |
Figura de ruido (dB Typ @ f) | - |
Ganancia | - |
Potencia - max | 225mW |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 4mA, 10V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23-3 (TO-236) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SMMBTH10-4LT3G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SMMBTH10-4LT3G-FT |
MRF8372GR2
Microsemi Corporation
MRF8372R1
Microsemi Corporation
MRF8372R2
Microsemi Corporation
HFA3096BZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127BZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3127BZ96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3096BZ96
Renesas Electronics America Inc.
CA3127M
Renesas Electronics America Inc.
CA3127MZ
Renesas Electronics America Inc.
HFA3096B
Renesas Electronics America Inc.
M7A3P1000-FG256
Microsemi Corporation
A3PN250-2VQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4K2F40C2N
Intel
10AX032E2F27E2LG
Intel
5SGSED8N2F45I2N
Intel
5SGXEB6R3F43I4N
Intel
LFXP10C-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C120F780C8
Intel
EP1C20F324I7N
Intel