casa / productos / Protección del circuito / TVS - Diodos / SMCG11AHE3/57T
Número de pieza del fabricante | SMCG11AHE3/57T |
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Número de parte futuro | FT-SMCG11AHE3/57T |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TransZorb® |
SMCG11AHE3/57T Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Zener |
Canales unidireccionales | 1 |
Canales Bidireccionales | - |
Voltaje - Separación inversa (tipo) | 11V |
Voltaje - Avería (Min) | 12.2V |
Voltaje - Sujeción (Máx.) @ Ipp | 18.2V |
Corriente - Pulso pico (10 / 1000µs) | 82.4A |
Potencia - Pulso pico | 1500W (1.5kW) |
Protección de línea eléctrica | No |
Aplicaciones | Automotive |
Capacitancia a frecuencia | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-215AB, SMC Gull Wing |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-215AB (SMCG) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SMCG11AHE3/57T Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SMCG11AHE3/57T-FT |
SM8S18AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S18AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S18HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S20-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S20A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S20AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S20AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S20HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S20HE3/2E
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S22-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
AFS600-1FG256K
Microsemi Corporation
AGLN250V2-ZVQG100
Microsemi Corporation
EP1SGX25DF672C5
Intel
EP3SE50F484I4L
Intel
10M50SAE144I7G
Intel
5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC6VLX130T-2FFG784I
Xilinx Inc.
A42MX09-1TQ176
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100FC324-1X
Intel