casa / productos / Protección del circuito / TVS - Diodos / SM8S33AHE3S/2D
Número de pieza del fabricante | SM8S33AHE3S/2D |
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Número de parte futuro | FT-SM8S33AHE3S/2D |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, PAR® |
SM8S33AHE3S/2D Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo | Zener |
Canales unidireccionales | 1 |
Canales Bidireccionales | - |
Voltaje - Separación inversa (tipo) | 33V |
Voltaje - Avería (Min) | 36.7V |
Voltaje - Sujeción (Máx.) @ Ipp | 53.3V |
Corriente - Pulso pico (10 / 1000µs) | 124A |
Potencia - Pulso pico | 6600W (6.6kW) |
Protección de línea eléctrica | No |
Aplicaciones | Automotive |
Capacitancia a frecuencia | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-218AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-218AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM8S33AHE3S/2D Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SM8S33AHE3S/2D-FT |
SM6S33A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S33AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S33HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S36-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S36A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S36AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S36AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S36HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8A27-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S10A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV100-5FG256I
Xilinx Inc.
A54SX16P-VQG100I
Microsemi Corporation
EPF8282ATC100-2N
Intel
5SGXMA3K3F40I4N
Intel
5SGXEA9K1H40C2LN
Intel
XC7VX550T-3FFG1158E
Xilinx Inc.
XC4VLX25-10FFG676C
Xilinx Inc.
XCKU035-3SFVA784E
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-L1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFXP2-30E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation