casa / productos / Protección del circuito / TVS - Diodos / SM8S28HE3/2D
Número de pieza del fabricante | SM8S28HE3/2D |
---|---|
Número de parte futuro | FT-SM8S28HE3/2D |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, PAR® |
SM8S28HE3/2D Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo | Zener |
Canales unidireccionales | 1 |
Canales Bidireccionales | - |
Voltaje - Separación inversa (tipo) | 28V |
Voltaje - Avería (Min) | 31.1V |
Voltaje - Sujeción (Máx.) @ Ipp | 50.1V |
Corriente - Pulso pico (10 / 1000µs) | 132A |
Potencia - Pulso pico | 6600W (6.6kW) |
Protección de línea eléctrica | No |
Aplicaciones | Automotive |
Capacitancia a frecuencia | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-218AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-218AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM8S28HE3/2D Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SM8S28HE3/2D-FT |
SM6S26HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S28A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S28AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S28AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S28HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S30A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S30AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S30AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S30HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S33-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX08A-TQG144A
Microsemi Corporation
XC6SLX25-N3FTG256C
Xilinx Inc.
AGLN125V5-ZVQ100I
Microsemi Corporation
10M25DCF256C7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
XC7K70T-2FBG484C
Xilinx Inc.
XC7VX485T-1FFG1761I
Xilinx Inc.
XC4VFX20-10FFG672I
Xilinx Inc.
LFXP2-8E-7FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35C2N
Intel