casa / productos / Protección del circuito / TVS - Diodos / SM8S28HE3/2D
Número de pieza del fabricante | SM8S28HE3/2D |
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Número de parte futuro | FT-SM8S28HE3/2D |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, PAR® |
SM8S28HE3/2D Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo | Zener |
Canales unidireccionales | 1 |
Canales Bidireccionales | - |
Voltaje - Separación inversa (tipo) | 28V |
Voltaje - Avería (Min) | 31.1V |
Voltaje - Sujeción (Máx.) @ Ipp | 50.1V |
Corriente - Pulso pico (10 / 1000µs) | 132A |
Potencia - Pulso pico | 6600W (6.6kW) |
Protección de línea eléctrica | No |
Aplicaciones | Automotive |
Capacitancia a frecuencia | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-218AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-218AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM8S28HE3/2D Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SM8S28HE3/2D-FT |
SM6S26HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S28A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S28AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S28AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S28HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S30A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S30AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S30AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S30HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S33-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO640E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC3E-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-FPQ208
Microsemi Corporation
A54SX16A-PQG208
Microsemi Corporation
EP3CLS100F484I7
Intel
10AX032H4F35E3SG
Intel
5SGXEA7K2F35I2N
Intel
XC5VLX50-3FFG1153C
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XC5VSX50T-2FFG665I
Xilinx Inc.
XC7A75T-1CSG324I
Xilinx Inc.