casa / productos / Protección del circuito / TVS - Diodos / SM6S13AHE3_A/I
Número de pieza del fabricante | SM6S13AHE3_A/I |
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Número de parte futuro | FT-SM6S13AHE3_A/I |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, PAR® |
SM6S13AHE3_A/I Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Zener |
Canales unidireccionales | 1 |
Canales Bidireccionales | - |
Voltaje - Separación inversa (tipo) | 13V |
Voltaje - Avería (Min) | 14.4V |
Voltaje - Sujeción (Máx.) @ Ipp | 21.5V |
Corriente - Pulso pico (10 / 1000µs) | 214A |
Potencia - Pulso pico | 4600W (4.6kW) |
Protección de línea eléctrica | No |
Aplicaciones | Automotive |
Capacitancia a frecuencia | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-218AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-218AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM6S13AHE3_A/I Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SM6S13AHE3_A/I-FT |
SM5A27THE3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S22AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S26AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S33AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S33AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6A27THE3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5A27-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5A27/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5A27HE3/2E
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S10AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX150-2FGG900I
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-2100E-5UWG49ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
10AX022E3F29I2LG
Intel
EP4CE6E22C8L
Intel
5SGXEB5R3F43I3L
Intel
5SGXMA7H3F35I4N
Intel
APA075-TQ100
Microsemi Corporation
A54SX08A-2TQG100I
Microsemi Corporation
AGL1000V2-CS281
Microsemi Corporation