casa / productos / Protección del circuito / TVS - Diodos / SM6S12HE3/2D
Número de pieza del fabricante | SM6S12HE3/2D |
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Número de parte futuro | FT-SM6S12HE3/2D |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, PAR® |
SM6S12HE3/2D Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo | Zener |
Canales unidireccionales | 1 |
Canales Bidireccionales | - |
Voltaje - Separación inversa (tipo) | 12V |
Voltaje - Avería (Min) | 13.3V |
Voltaje - Sujeción (Máx.) @ Ipp | 22V |
Corriente - Pulso pico (10 / 1000µs) | 209A |
Potencia - Pulso pico | 4600W (4.6kW) |
Protección de línea eléctrica | No |
Aplicaciones | Automotive |
Capacitancia a frecuencia | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-218AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-218AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM6S12HE3/2D Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SM6S12HE3/2D-FT |
SM6A27HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8A27THE3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5A27THE3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S22AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S26AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S33AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S33AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6A27THE3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5A27-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5A27/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
M1AGLE3000V5-FG484I
Microsemi Corporation
A3P250-PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXEB6R3F40C2L
Intel
5SGXMB6R3F40C4N
Intel
10AX048E3F29E2SG
Intel
5SGXEA4K2F35C2LN
Intel
M1AGL1000V2-FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000ZE-3FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-9400E-5MG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H3F34E2SG
Intel