Número de pieza del fabricante | SJPB-L6 |
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Número de parte futuro | FT-SJPB-L6 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SJPB-L6 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 60V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 3A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 700mV @ 3A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 300µA @ 60V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 2-SMD, J-Lead |
Paquete del dispositivo del proveedor | SJP |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -40°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SJPB-L6 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SJPB-L6-FT |
RBK84240XXOO
Powerex Inc.
RBK84440XXOO
Powerex Inc.
RBK84540XXOO
Powerex Inc.
RBT83243XXOO
Powerex Inc.
RBT83643XXOO
Powerex Inc.
RBT84043XXOO
Powerex Inc.
SARS01V
Sanken
SARS05
Sanken
SB3100EB-G
Comchip Technology
SB320E-G
Comchip Technology
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
LFE2-6E-6TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-2FGG256
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208I
Microsemi Corporation
10M40DCF484C8G
Intel
EP4CGX110CF23I7
Intel
10M40DAF256C7G
Intel
10AX022E4F27E3LG
Intel
XC5VLX85-2FFG676I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-7FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation